| 主权项 |
1.一种雷射二极体之主动层结构,该主动层内形成 有量子井层,而该量子井层间形成有量子位障层, 该量子位障层引入有张应力型之磷化铟镓层(GaInP layer),以使该主动层由底层至顶层形成有:一量子 井层、一量子位障层、一磷化铟镓层、一量子位 障层、一量子井层、一量子位障层、一磷化铟镓 层、一量子位障层、一量子井层、一量子位障层 、一磷化铟镓层、一量子位障层、一量子井层、 一量子位障层、一磷化铟镓层、一量子位障层及 一量子井层; 藉此,以阻挡电子与电洞在主动层的横向流动,改 善电子与电洞于雷射二极体之量子位障层发生复 合,以降低载子漏电流及避免张应力型之磷化铟镓 层补偿压应力之量子井,藉以维持量子井层之压应 力者。 2.如申请专利范围第1项所述之雷射二极体之主动 层结构,其中,该量子位障层为无应力型之磷砷化 铟镓量子位障层(GaInAsP量子位障层)者。 3.如申请专利范围第1项所述之雷射二极体之主动 层结构,其中,该量子井层为压应力型之磷砷化铟 镓量子井层(GaInAsP量子井层)者。 图式简单说明: 第1图系为本发明雷射二极体主动层的平面结构图 。 第2图系为本发明雷射二极体主动层的导电带能带 示意图。 第3图系为本发明雷射二极体的立体结构图。 第4图系为本发明雷射二极体的平面结构图。 第5图系为传统雷射二极体主动层的平面结构图。 第6图系为传统雷射二极体主动层的导电带能带示 意图。 |
