氮化镓系化合物半导体装置

摘要

本发明之氮化镓系化合物半导体装置，系主要为在波长375nm以下发光的LED。LED系于基板(10)上含有GaN层(16)、n-包覆层(20)、AlInGaN缓冲层(22)、发光层(24)、 p-包覆层(26)、p电极(30)及n电极(32)而构成。发光层(24)系为将InGaN井层与AlInGaN障壁层积层之多层量子井构造(MQW)。藉由量子井构造以扩大InGaN井层之有效能带隙而将发光波长短波长化。另外，利用于发光层(24)的衬底层使用AlInGaN缓冲层(22)，而有效率地将电子注入发光层(24)，以使发光效率增大。

主权项

1.一种氮化镓系化合物半导体装置,系为具有形成 于基板上的GaN系发光层者,其特征为: 具有邻接上述发光层之AlInGaN缓冲层; 上述发光层包括将InGaN井层与AlInGaN障壁层积层之 多层量子井层; 上述InGaN井层之In组成比系为5%以上、15%以下,厚度 系为1nm以上、2nm以下;且 上述AlInGaN障壁层之Al组成比系为14%以上、40%以下, 而In组成比系为0.1%以上、5%以下;且 上述AlInGaN缓冲层之Al组成比系为0.5%以上、40%以下 ,而In组成比系为0.1%以上、5%以下;且 发光波长为375nm以下。 2.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 装置,其中,上述InGaN井层之In组成比系为5%以上、13 %以下。 3.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 装置,其中,上述InGaN井层之厚度系为1.3nm以上、1.8 nm以下。 4.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 装置,其中,上述AlInGaN障壁层之Al组成比系为16%以 上、40%以下,而In组成比系为0.1%以上、3%以下。 5.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 装置,其中,上述AlInGaN缓冲层之Al组成比系为1%以上 、40%以下,而In组成比系为0.1%以上、3%以下。 6.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 装置,其中,上述InGaN井层及AlInGaN缓冲层系在750℃ 以上所形成者。 图式简单说明: 图1为实施形态之LED的构成图。 图2为图1之发光层的详细构成图。 图3为显示流于障壁层中之TMA的流量与输出功率的 关系的曲线图。 图4为显示流于缓冲层中之TMA的流量与输出功率的 关系的曲线图。