| 主权项 |
1.一种画素结构的制造方法,包括: 提供一基板; 在该基板上形成一扫瞄配线、一资料配线与一主 动元件,其中该主动元件与该扫瞄配线及该资料配 线电性连接; 在该基板上形成一介电层,以覆盖该主动元件与该 资料配线; 在该介电层上形成一图案化光阻层,其中该图案化 光阻层具有一第一贯孔与多数个第一凹陷,且该第 一贯孔暴露出部分该介电层; 以该图案化光阻层为遮罩,移除部分该介电层,以 形成一图案化介电层,其中该图案化介电层具有一 第二贯孔与多数个第二凹陷,且该第二贯孔暴露出 部分该主动元件; 移除该图案化光阻层;以及 在该图案化介电层上形成一反射层,其中该反射层 覆盖该些第二凹陷,且该反射层与该主动元件电性 连接。 2.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中形成该图案化光阻层之方法为使用一半调 式光罩。 3.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中移除部分该介电层之方法包括乾式蚀刻制 程或湿式蚀刻制程。 4.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中该反射层更覆盖该第二贯孔,且该反射层 经由该第二贯孔与该主动元件电性连接。 5.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中在移除该图案化光阻层之后与形成该反射 层之前,更包括在该图案化介电层上形成一透明导 电层,其中该透明导电层覆盖该第二贯孔与该些第 二凹陷,且该反射层经由该透明导电层与该主动元 件电性连接。 6.如申请专利范围第5项所述之画素结构的制造方 法,其中该反射层具有一开口,暴露出部分该透明 导电层。 7.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中在移除该图案化光阻层之后与形成该反射 层之前,更包括在该图案化介电层上形成一透明导 电层,且该透明导电层经由该反射层与该主动元件 电性连接。 8.如申请专利范围第7项所述之画素结构的制造方 法,其中该反射层具有一开口,暴露出部分该透明 导电层。 9.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中在形成该反射层之后,更包括在该反射层 上形成一透明导电层,其中该透明导电层覆盖该第 二贯孔,且该反射层经由该透明导电层与该主动元 件电性连接。 10.如申请专利范围第9项所述之画素结构的制造方 法,其中该反射层具有一开口,且该透明导电层覆 盖该开口。 11.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中形成该扫瞄配线、该资料配线与该主动元 件之方法包括: 在该基板上形成该扫瞄配线与连接至该扫瞄配线 之一闸极; 在该基板上形成一闸绝缘层,以覆盖该闸极; 在该闸极上方之该闸绝缘层上形成一半导体层;以 及 在该基板上形成该资料配线与连接至该资料配线 之一源极/汲极,且该源极/汲极位于该半导体层上, 并位于该闸极之两侧,其中该第二贯孔暴露出部分 该源极/汲极。 图式简单说明: 图1A至图1D绘示美国专利第6,490,019号之反射式液晶 显示器的制造方法的剖面图。 图2A至图2F绘示依照本发明第一实施例之画素结构 的制造方法的剖面图。 图2G绘示依照本发明第一实施例之另一画素结构 的制造方法的剖面图。 图3为图2F之俯视图。 图4A至图4B绘示依照本发明第二实施例之画素结构 的制造方法的剖面图。 图4C与图4D绘示依照本发明第二实施例之另一画素 结构的制造方法的剖面图。 图5为图4B之俯视图。 |
