直流电源防呆电路结构

摘要

本创作为一种直流电源防呆电路结构，包含一功率金氧半场效电晶体(Power Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor, Power MOSFET)，功率金氧半场效电晶体之汲极(Drain)用以电性连接于直流电源之正极端，源极(Source)用以电性连接于负载之受电端正极，而闸极(Gate)用以电性连接于直流电源之负极端及负载之受电端负极。藉由功率金氧半场效电晶体导通条件为VGS＜0之特性，当错置直流电源之极性时，因为功率金氧半场效电晶体之VGS＞0，所以使电路呈开路之状态，进而达到错置直流电源极性时之保护功效。

主权项

1.一种直流电源防呆电路结构,包含一功率金氧半 场效电晶体,该功率金氧半场效电晶体具有一汲极 、一闸极及一源极,其中该汲极用以电性连接于一 直流电源之正极端,该源极用以电性连接于一负载 之一受电端正极,又该闸极用以电性连接于该直流 电源之负极端及该负载之一受电端负极。 2.如申请专利范围第1项所述之电路结构,其中该功 率金氧半场效电晶体系为一P通道功率金氧半场效 电晶体。 3.如申请专利范围第1项所述之电路结构,进一步具 有一显示电路,包括: 一发光二极体,该发光二极体之阳极系电性连接于 该闸极;以及 一电阻,该电阻之一端系串联于该发光二极体之阴 极,该电阻之另一端系电性连接于该汲极。 4.一种直流电源防呆电路结构,包括: 一功率金氧半场效电晶体,具有: 一汲极,用以电性连接于一直流电源之正极端; 一源极,用以电性连接于一负载之一受电端正极; 以及 一闸极,用以电性连接于该直流电源之负极端及该 负载之一受电端负极;以及 一显示电路,包括: 一发光二极体,该发光二极体之阳极系电性连接于 该闸极;以及 一电阻,该电阻之一端系串联于该发光二极体之阴 极,该电阻之另一端系电性连接于该汲极。 5.如申请专利范围第4项所述之电路结构,其中该功 率金氧半场效电晶体系为一P通道功率金氧半场效 电晶体。 图式简单说明: 第1图系为本创作之一种直流电源防呆电路结构之 第一使用状态实施例图。 第2图系为本创作之一种直流电源防呆电路结构之 第二使用状态实施例图。 第3图系为第1图之直流电源防呆电路结构进一步 连接显示电路之实施例图。 第4图系为第2图之直流电源防呆电路结构进一步 连接显示电路之实施例图。