发明名称 宽频扭层液晶膜及其制造方法、圆偏光板、直线偏光子、照明装置及液晶显示装置(一)
摘要 本发明之宽频扭层液晶膜,系于二片基材间,将含有聚合性液晶原化合物(a)、聚合性旋光剂(b)及光聚合引发剂(c)之液晶混合物进行紫外线聚合而得者,且该液晶膜具有反射带宽在200nm以上。本发明之宽频扭层液晶膜具有宽频之反射带,且耐久性良好。
申请公布号 TWI292492 申请公布日期 2008.01.11
申请号 TW093100549 申请日期 2004.01.09
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 福冈孝博;高桥直树;原和孝
分类号 G02B5/30(2006.01);G02F1/1335(2006.01) 主分类号 G02B5/30(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种宽频扭层液晶膜,系于二片基材间,将含有聚 合性液晶原化合物(a)、聚合性旋光剂(b)及光聚合 引发剂(c)之液晶混合物进行紫外线聚合而得者,且 该液晶膜具有反射带宽在200nm以上,并且前述液晶 混合物不含紫外线吸收剂。 2.如申请专利范围第1项之宽频扭层液晶膜,其中该 宽频扭层液晶膜之间距长变化系从紫外线放射侧 起连续地变狭窄。 3.如申请专利范围第1项之宽频扭层液晶膜,其中该 聚合性液晶原化合物(a)具有1个聚合性官能基,且 该聚合性旋光剂(b)具有2个以上之聚合性官能基。 4.如申请专利范围第1项之宽频扭层液晶膜,其中该 聚合性液晶原化合物(a)之莫耳消光系数为50~500 dm3 mol-1cm-1@365nm。 5.如申请专利范围第1项之宽频扭层液晶膜,其中该 聚合性液晶原化合物(a)系以下述一般式(1): 表示之化合物(唯,R1表示氢原子或甲基,n表示1~5之 整数)。 6.一种如申请专利范围第1项之宽频扭层液晶膜之 制造方法,系于二片基材间,将含有聚合性液晶原 化合物(a)、聚合性旋光剂(b)及光聚合引发剂(c)之 液晶混合物进行紫外线聚合。 7.一种圆偏光板,系使用申请专利范围第1项之宽频 扭层液晶膜者。 8.一种直线偏光子,系于申请专利范围第7项之圆偏 光板上积层/4板而得者。 9.如申请专利范围第8项之直线偏光子,其中前述圆 偏光板之扭层液晶膜系积层/4板,以使间距长连 续地变狭窄而得者。 10.一种直线偏光子,系将吸收型偏光子配合申请专 利范围第8项之直线偏光子之透过轴方向贴合于该 透过轴上而得者。 11.如申请专利范围第8项之直线偏光子,其中该/4 板系当以面内之主折射率为nx、ny,厚度方向之主 折射率为nz时,以式(nx-nz)/(nx-ny)定义之Nz系数满足-0 .5~-2.5者。 12.一种照明装置,系在里面侧具有反射层之面光源 之表面侧上,具有申请专利范围第7项之圆偏光板 或申请专利范围第8项之直线偏光子。 13.一种液晶显示装置,系在申请专利范围第12项之 照明装置之光出射侧具有液晶晶胞者。 图式简单说明: 第1图是实施例1~3及比较例1~3之评价中所使用之偏 光板之概念图。系1:偏光板、2:/4板、3:扭层液 晶膜(圆偏光板)4:黏着层。 第2图是实施例1所制作之扭层液晶膜之反射光谱 。 第3图是实施例2所制作之扭层液晶膜之反射光谱 。 第4图是实施例3所制作之扭层液晶膜之反射光谱 。 第5图是比较例1所制作之扭层液晶膜之反射光谱 。 第6图是比较例2所制作之扭层液晶膜之反射光谱 。 第7图是比较例3所制作之扭层液晶膜之反射光谱 。
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