| 主权项 |
1.一种于一矽半导体基板上制造一氮化氧化物层 之方法,包括步骤: a.引进复数晶圆于一气压批式炉(atmospheric batch furnace)内; b.于一第一预定温度(T1)执行一氧化步骤; c.于一第二预定温度(T2)执行一氮化步骤; d.于一第三预定温度(T3)执行一再氧化步骤;以及 e.冷却该等晶圆并将其自该气压批式炉内移出; 其中该第一预定温度为830-870℃,该氮化步骤系于 一氨气或一氨气/氮气之下在该第二预定温度为880 -920℃下进行,该第三预定温度则为930-970℃,而在步 骤b与步骤c以及步骤c与步骤d之间并不执行冷却。 图式简单说明: 第一图表示本发明制造氮化燧道氧化物之制程之 实施例之温度曲线; 第二图表示藉由RTP制程产生之氮化燧道氧化物之 层厚度范围的分布(A),以及依据以上实施例在批式 炉内使用NH3产生之氮化燧道氧化物之层厚度范围 的分布(B); 第三图描述具有一氮化燧道氧化物之半导体基板 以便说明构本发明基础之问题;以及 第四图表示用以产生氮化燧道氧化物之标准RTP制 程之温度曲线之范例。 |
