| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体,包括: 一第一记忆胞,包括: 一基底,该基底中设置有一源极区与一汲极区; 一控制闸极,设置于该源极区与该汲极区之间的该 基底上; 一浮置闸极,设置于该控制闸极与该基底之间,该 浮置闸极包含垂直于该基底之一中央区与平行于 该基底之一外围区,该中央区与该源极区相邻;以 及 一选择闸极,设置于该控制闸极与该浮置闸极之该 外围区侧壁,且该选择闸极与该汲极区相邻。 2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,其 中该浮置闸极之剖面为L型。 3.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,其 中该浮置闸极之该外围区侧壁具有一圆弧状弯曲 。 4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,更 包括一第二记忆胞,该第二记忆胞与该第一记忆胞 具有相同的结构,且该第二记忆胞与该第一记忆胞 以镜向对称的方式配置。 5.如申请专利范围第4项所述之非挥发性记忆体,其 中该第二记忆胞与该第一记忆胞共用该源极区 6.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,更 包括一穿隧介电层,设置于该浮置闸极底部与该基 底之间。 7.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,更 包括一闸间介电层,设置于该控制闸极与该基底之 间及该控制闸极与该浮置闸极之间。 8.如申请专利范围第7项所述之非挥发性记忆体,其 中该闸间介电层的材质包括氧化矽/氮化矽/氧化 矽。 9.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,更 包括一介电层,设置于该选择闸极与该基底之间、 该选择闸极与该控制闸极之间以及该选择闸极与 该浮置闸极之间。 10.如申请专利范围第9项所述之非挥发性记忆体, 其中该介电层更包括延伸至该汲极区部分之该基 底上及该控制闸极上。 11.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体, 其中该浮置闸极的材质包括掺杂多晶矽。 12.一种非挥发性记忆体的制造方法,包括: 提供一基底; 于该基底上形成图案化之一罩幕层; 于该基底上形成一穿隧介电层与一第一导体层; 移除该罩幕层顶部之该第一导体层,而形成位于该 罩幕层侧壁及该基底上之一第二导体层; 移除该罩幕层; 于该第二导体层之间的该基底中形成一源极区; 于该基底上形成一闸间介电层; 于该闸间介电层上形成一第三导体层; 图案化该第三导体层、该闸间介电层与该第二导 体层; 于该基底上,以及暴露出之该第三导体层与该第二 导体层的侧壁形成一介电层; 于该第三导体层侧壁形成一第四导体层;以及 于该第四导体层外侧的该基底中形成一汲极区。 13.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中图案化之后的该第二导体层之剖 面为L型,且其包含垂直于该基底之一中央区与平 行于该基底之一外围区,该中央区与该源极区相邻 。 14.如申请专利范围第13项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该第二导体层的材质包括掺杂多 晶矽。 15.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中于该第二导体层之该外围区侧壁 形成该介电层的方法包括一热氧化法。 16.如申请专利范围第15项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中于该热氧化法的步骤后,该外围 区侧壁形成一圆弧状弯曲。 17.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中图案化该第三导体层的步骤包括 : 于该第三导体层上行成一图案化光阻层; 以该图案化光阻层为罩幕,移除部分该第三导体层 ;以及 移除该图案化光阻层。 18.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中图案化该第三导体层的步骤中更 包括以该闸间介电层为终止层,移除部分该第三导 体层。 19.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中图案化该第二导体层的方法更包 括以该图案化之后的该第三导体层为自行对准罩 幕。 20.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中于图案化该闸间介电层与该第二 导体层的步骤中,更包括图案化该穿隧介电层。 21.如申请专利范围第12项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该穿隧介电层的形成方法包括热 氧化法。 22.一种非挥发性记忆体的制造方法,包括: 提供一基底,该基底上已形成有呈阵列排列之多个 隔离结构,且该些隔离结构之间填满一罩幕层; 移除部分该罩幕层,留下相邻两列隔离结构之间的 该罩幕层; 于该基底上形成一穿隧介电层与一第一导体层; 移除该罩幕层顶部与该些隔离结构顶部之该第一 导体层,而形成位于该罩幕层两侧壁及相邻该些隔 离结构之间的一第二导体层; 移除部分该些隔离结构; 移除该罩幕层; 于该第二导体层之间的该基底中形成一源极区; 于该基底上形成一闸间介电层; 于该闸间介电层上形成一第三导体层; 图案化该第三导体层而覆盖住该源极区与该源极 区两侧之部分该第二导体层; 以该第三导体层为自行对准罩幕,移除部分该闸间 介电层与该第二导体层; 于该基底上,以及暴露出之该第三导体层与该第二 导体层的侧壁形成一介电层; 于该第三导体层侧壁形成一第四导体层;以及 于该第四导体层外侧的该基底中形成一汲极区。 23.如申请专利范围第22项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中图案化之后的该第二导体层之剖 面呈L型,且其包含垂直于该基底之一中央区与平 行于该基底之一外围区,该中央区与该源极区相邻 。 24.如申请专利范围第23项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中于该第二导体层之该外围区侧壁 形成该介电层的方法包括一热氧化法。 25.如申请专利范围第24项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中于该热氧化法的步骤后,该外围 区侧壁形成一圆弧状弯曲。 26.如申请专利范围第22项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中于移除部分该些隔离结构的步骤 之后,该些隔离结构的顶面至少低于该第二导体层 的顶面。 27.如申请专利范围第22项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中图案化该第三导体层的步骤中更 包括以该闸间介电层为终止层,移除部分该第三导 体层。 28.如申请专利范围第22项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中于移除部分该闸间介电层与该第 二导体层的步骤中,更包括移除部分该穿隧介电层 。 29.如申请专利范围第22项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该穿隧介电层的形成方法包括热 氧化法。 图式简单说明: 图1系绘示本发明的实施例之一种非挥发性记忆体 的结构剖面图。 图2A至图2F系绘示本发明一实施例之一种非挥发性 记忆体的制造流程上视图。 图3A至图3F系分别绘示图2A至图2F中沿a-a'线的剖面 示意图。 图4A至图4F系分别绘示图2A至图2F中沿b-b'线的剖面 示意图。 |
