| 主权项 |
1.一种半导体积体电路装置,系对复数端子具备有 过电压保护电路与过电压检测电路之半导体积体 电路装置,其特征为: 施加过电压时,具有第1电流通过的第1负载部,与该 第1电流成正比的第2电流所通过的第2负载部的电 流镜电路,系分别与上述复数端子相连接,并将连 接至上述复数端子中之一个端子之电流镜电路的 第1负载部,作为连接至其他上述复数端子之电流 镜电路的第1负载部共同使用,同时将该第1负载部 作为上述过电压保护电路,并且将连接至上述复数 端子的电流镜电路之各第2负载部,作为检测第2电 流的过电压检测电路。 2.一种半导体积体电路装置,系在一个以上的端子 中具备有:由过电压保护用二极体、基极与射极分 别共同连接且射极连接至该过电压保护用二极体 的阳极之第1与第2电晶体所组成之电流镜电路所 构成的电路;其中, 在半导体积体电路上以包围阳极的方式而形成上 述过电压保护用二极体之阴极,同时在上述阴极所 包围的区域内,以包围上述阳极之方式而分别形成 上述第1与第2电晶体之集极,并且以与这些集极大 致平行之方式形成上述第1与第2电晶体的共同基 极。 图式简单说明: 第1图系本发明第1实施形态中附有过电压检测电 路的过电压保护电路。 第2图系本发明第2实施形态中附有过电压熔断保 险丝的过电压保护电路。 第3图系本发明第2实施形态中附有储存过电压纪 录的记忆体单元的过电压保护电路。 第4图(A)至(C)系表示过电压保护用二极体之图。 第5图(A)至(E)系表示本发明第3实施形态中过电压 保护用二极体以及电流镜电路之图。 第6图系习知的过电压保护电路。 第7图系附有习知的过电压检测电路之过电压保护 电路。 |
