| 主权项 |
1.一种表面电浆共振感测系统,至少包含: 一入射光源; 一光纤元件; 一贵金属奈米粒子层,系包覆在该光纤元件表面; 一微流体模组,系用以容纳该光纤元件与一待测物 质,并驱动该待测物质与该贵金属奈米粒子层接触 ;以及 至少一光检测器,系用以检测该光纤元件之一出射 光。 2.如申请专利范围第1项所述之表面电浆共振感测 系统,其中该入射光源系为一单频光、一窄频光或 一白光。 3.如申请专利范围第1项所述之表面电浆共振感测 系统,其中该光纤元件,系为一光纤除去表面之一 保护层及部分之一覆盖层。 4.如申请专利范围第1项所述之表面电浆共振感测 系统,其中该贵金属奈米粒子层系为金之奈米粒子 所构成。 5.如申请专利范围第1项所述之表面电浆共振感测 系统,其中该贵金属奈米粒子层系为银之奈米粒子 所构成。 6.如申请专利范围第1项所述之表面电浆共振感测 系统,其中该微流体模组系为一微流体晶片。 7.如申请专利范围第1项所述之表面电浆共振感测 系统,其中该光纤元件之该出射光系为一穿透光。 8.如申请专利范围第1项所述之表面电浆共振感测 系统,其中该光纤元件之该出射光系为一反射光。 9.一种表面电浆共振感测方法,其至少包含以下步 骤: 提供一入射光源; 提供一光纤元件; 制备一贵金属奈米粒子层,系包覆在该光纤元件表 面; 透过一微流体模组,驱动该待测物质与该贵金属奈 米粒子层接触;以及 透过一光检测器,检测该光纤元件之一出射光。 10.如申请专利范围第9项所述之表面电浆共振感测 方法,其中更包含提供一单频光、一窄频光或一白 光作为该入射光源。 11.如申请专利范围第9项所述之表面电浆共振感测 方法,其中更包含提供除去表面之一保护层及部分 之一覆盖层之一光纤缆线,作为该光纤元件。 12.如申请专利范围第9项所述之表面电浆共振感测 方法,其中更包含提供金之奈米粒子构成该贵金属 奈米粒子层。 13.如申请专利范围第9项所述之表面电浆共振感测 方法,其中更包含提供银之奈米粒子构成该贵金属 奈米粒子层。 14.如申请专利范围第9项所述之表面电浆共振感测 方法,其中该光纤元件之该出射光系为一穿透光。 15.如申请专利范围第9项所述之表面电浆共振感测 方法,其中该光纤元件之该出射光系为一反射光。 16.如申请专利范围第9项所述之表面电浆共振感测 方法,其中更包含提供一微流体晶片作为该微流体 模组。 17.一种表面电浆共振感测装置,至少包含: 一光纤元件; 一贵金属奈米粒子层,系包覆在该光纤元件表面; 以及 一微流体模组,系用以容纳该光纤元件与一待测物 质。 18.如申请专利范围第17项所述之表面电浆共振感 测装置,其中该光纤元件,系为一光纤缆线除去表 面之一保护层及部分之一覆盖层。 19.如申请专利范围第17项所述之表面电浆共振感 测装置,其中该贵金属奈米粒子层系为金之奈米粒 子所构成。 20.如申请专利范围第17项所述之表面电浆共振感 测装置,其中该贵金属奈米粒子层系为银之奈米粒 子所构成。 21.如申请专利范围第17项所述之表面电浆共振感 测装置,其中该微流体模组系为一微流体晶片。 图式简单说明: 第一图系显示一光纤结构之示意图; 第二图系显示利用贵金属奈米粒子包覆光纤元件 之示意图; 第三图系显示微流体晶片应用于光纤感测系统之 示意图; 第四图系显示本发明之表面电浆共振感测系统之 方块图; 第五图系显示本发明之表面电浆共振感测系统之 实施例示意图;以及 第六图系显示本发明之表面电浆共振感测方法之 步骤流程图。 |
