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La présente invention concerne un dispositif d'amplification d'un signal hyperfréquence comportant une cellule cascode (60). La cellule cascode comprend au moins deux transistors (31,32). La grille d'un premier transistor (31) est reliée vers l'entrée (E) dudit dispositif, le drain du deuxième transistor (32) est relié vers la sortie (S), et la source du deuxième transistor (32) est reliée au drain du premier transistor (31). Un circuit à impédance variable (50) est connecté à la grille du deuxième transistor (32).Cette invention est utilisée notamment pour des récepteurs hyperfréquence par exemple dans le cas de liaisons haut débit ou autres applications nécessitant une réception sur une large bande de fréquences.
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