| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体装置的制造方法、该方法中使用的粘合片以及根据该方法得到的半导体装置，上述半导体装置的制造方法可以防止由焊垫的污染引起无法进行引线接合，并且可以防止在基板、引线框或半导体元件等被粘物上产生翘曲，从而提高成品率且简化制造工序。本发明的特征在于包括如下工序：临时固定工序，通过粘合片(12)将半导体元件(13)临时固定在被粘物(11)上；和引线接合工序，不经过加热工序，在接合温度80～250℃的范围内进行引线接合，并且作为上述粘合片(12)，使用固化前的贮存弹性模量在80～250℃的温度范围内为1MPa以上，或在该温度范围内的任意温度下为1MPa以上的粘合片。 | ||
| 申请公布号 | CN101103448A | 申请公布日期 | 2008.01.09 |
| 申请号 | CN200680002255.5 | 申请日期 | 2006.02.20 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 三隅贞仁;松村健 |
| 分类号 | H01L21/52(2006.01);C09J163/00(2006.01);C09J133/00(2006.01);H01L21/50(2006.01);C09J161/04(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/52(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;郭国清 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：临时固定工序，通过粘合片将半导体元件临时固定在被粘物上；和引线接合工序，不经过加热工序，在接合温度80～250℃的范围内进行引线接合，作为上述粘合片，使用固化前的贮存弹性模量在80～250℃的温度范围内为1MPa以上，或在该温度范围内的任意温度下为1MPa以上的粘合片。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||