| 发明名称 | 化学机械研磨系统及研磨液 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种采用表面化学剪裁机制研磨其上沉积有聚合物膜表面的半导体基底，再对该化学剪裁表面进行化学机械抛光的系统和方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101103444A | 申请公布日期 | 2008.01.09 |
| 申请号 | CN200680002376.X | 申请日期 | 2006.01.17 |
| 申请人 | 安集微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 杨春晓;俞昌 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);B24B37/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | PCT国内申请，权利要求书已公开。 | ||
| 地址 | 201203中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室 | ||