串联蚀刻处理室等离子工艺系统

摘要

一种加工处理晶片的方法与设备，其包含界定数个隔绝工艺区域的处理室。该隔绝工艺区域具有一上端与一下端。该处理室更包含数个等离子产生装置，每一等离子产生装置邻近每一隔绝工艺区域的上端设置，而数个电源供应器中一个连接于每一等离子产生装置。数个电源供应器的输出频率是一起相位锁定与/或频率锁定。此外，该处理室包含数个气体分散组件。每一气体分散组件设于每一隔绝工艺区域内。一移动式晶片支撑件设于每一隔绝工艺区域内，以支撑一晶片并于其上实施等离子处理。该移动式晶片支撑件包含耦接于一偏压电源供应器的一偏压电极，以控制等离子体离子朝向该移动式晶片支撑件轰击。

主权项

1.一种用于加工处理晶片的设备，该设备包含：至少一个处理室，界定数个隔绝工艺区域，每一个隔绝工艺区域具有一上端与一下端；数个等离子产生装置，每一个等离子产生装置邻近每一个隔绝工艺区域的上端设置；数个射频电源供应器，每一个射频电源供应器连接于每一个等离子产生装置，其中这些射频电源供应器的输出信号是一起锁定；数个气体分散组件，每一个气体分散组件被耦接至每一个等离子产生装置并且位于每一个隔绝工艺区域；数个移动式晶片支撑件，每一个设置于每一个隔绝工艺区域内，其中每一个移动式晶片支撑件包含耦接于一偏压电源供应器的一偏压电极。