一种单片光电集成回路的制作方法

摘要

本发明公开了一种单片光电集成回路的制作方法，它是利用激光辅助微细加工技术制作单片光电集成回路，即在制作光器件过程中，利用激光的高度定域性，在扩散、合金等高温工艺中使得高温区域严格限制在光器件所在区域，从而避免对基片上已做成的集成电路产生高温冲击，对电器件性能不产生负面影响，最终使光、电两部分器件都具有最佳性能，达到提高单片光电集成回路器件的整体性能水平的目的。

主权项

1、一种单片光电集成回路的制作方法，其特征是它采用F面的步骤：步骤1准备好半导体衬底(1)，根据制作光电集成回路的设计要求，确定电器件(2)、光器件(4)的位置，用掩模把将要制作光器件(4)的区域掩蔽好；步骤2在半导体衬底(1)上的电器件(2)所在区域按照设计的要求，用常规的集成电路工艺制备电器件；步骤3去除光器件(4)所在区域的掩模，再将通过步骤2做好的电器件(2)部分用掩模掩蔽好；步骤4在光器件(4)所在区域，利用激光微细加工的直接写入功能制作光器件(4)，所述的利用激光微细加工的直接写入功能的方法是激光诱导扩散或者是激光诱导合金；步骤5去除电器件部分的掩模，进行光、电器件的互连；经过以上步骤后，就可以得到单片光电集成回路器件。