包含有机场效应晶体管的逻辑元件

摘要

本发明使得能够第一次制造出由有机场效应晶体管组成的快速逻辑门，尽管采用的是常规的p型MOS技术。这主要是由于具有极薄半导体层的OFET的早饱和效应，还由于采用具有特殊特性的OFET作为有机逻辑元件以及包含这些逻辑元件的新颖的电路布局。

主权项

1.一种逻辑门，至少包含一个第一和一个第二有机场效应晶体管OFET，其中第一OFET为p型OFET，第二OFET可以用在逻辑门中作为电阻；以及作为对所述第二OFET中的有机半导体层的特殊处理的结果，没有施加栅极电位的所述第二OFET具有仅比ON电流低一个量级的OFF电流，这样第二OFET仍可以通过施加正的栅极电位关断。