| 发明名称 | MOS型过温保护电路 | ||
| 摘要 | 一种MOS型过温保护电路，包括：温度信号采样电路和窗口形成电路，温度信号采样电路，有一个NMOS管(M1)和一个二极管(D1)连接而成，用于检测电路的温度变化，窗口形成电路，由两个NMOS管(M3、M4)和反向器(A1)连接而成，本发明电路具有以下优点：第一，温度信号采样电路不使用采样电阻，消除了过温保护电路对采样电阻精度的要求；第二，本方案过温点和窗口的设计与MOS管的阈值电压不相关，因此过温保护的精度相对普通的过温保护电路有了很大改善：第三，该电路不使用三极管，能广泛应用于MOS集成电路中。 | ||
| 申请公布号 | CN101102039A | 申请公布日期 | 2008.01.09 |
| 申请号 | CN200710021444.3 | 申请日期 | 2007.04.12 |
| 申请人 | 无锡博创微电子有限公司 | 发明人 | 易扬波;陶平 |
| 分类号 | H02H7/20(2006.01) | 主分类号 | H02H7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼高潮 |
| 主权项 | 1、一种MOS型过温保护电路，包含过温保护电路，其特征在于：在该电路上连接有一个NMOS管(M1)和一个二极管(D1)连接而成的温度信号采样电路。 | ||
| 地址 | 214028江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园D座4楼 | ||