半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件，包括：硅衬底；彼此间隔、彼此平行的至少两个沟槽，并且通过从其表面垂直地刻蚀硅衬底形成；用于掩埋至少该沟槽的底面的电绝缘膜；基极区形成在位于该两个沟槽之间的硅衬底的区域中；发射极区和集电极区分别地形成在沟槽的侧壁部分上，该侧壁部分位于绝缘膜之上并且形成在该基极区中。

主权项

1.一种半导体器件，包括：硅衬底；至少两个彼此间隔并且彼此平行的沟槽，垂直地设置到硅衬底的表面；填充至少该沟槽的每个底面的电绝缘膜；设置在该两个沟槽之间的基极区；和沿着沟槽的侧壁部分分别设置的发射极区和集电极区，该部分在该绝缘膜之上并且位于该基极区中。