SiGe层的热氧化及其应用

摘要

本发明涉及氧化SiGe层的表面区域的方法，该方法包括对SiGe层进行氧化热处理以氧化所述表面区域，其特征在于包括两个阶段：第一阶段，氧化热处理，所述氧化热处理直接在所述SiGe层上进行，从而得到氧化区域，所述氧化区域具有足以形成覆层氧化物的足够厚度，所述覆层氧化物可在随后的第二阶段中保护下方的SiGe不发生点蚀，并且所述氧化区域的厚度足够薄，以保持氧化的表面区域的厚度在阈值厚度范围之下，所述阈值范围对应着SiGe层内的位错的产生，和第二阶段，在惰性气氛中高温退火，所述高温退火在所述第一阶段之后在所述SiGe层上进行，所述SiGe层覆盖有在所述第一阶段中产生的所述氧化区域，所述高温退火使Ge从所述富Ge区域扩散进入所述SiGe层的下部。

主权项

1.一种氧化SiGe层的表面区域的方法，所述方法包括在氧化所述表面区域的氧化气氛下SiGe层的氧化热处理，其特征在于，所述方法包括两个阶段：·第一阶段，氧化热处理，所述氧化热处理直接在所述SiGe层上进行，进行所述氧化热处理以得到如下氧化区域：◇所述氧化区域具有足以形成覆层氧化物的足够厚度，所述覆层氧化物可在随后的第二阶段中保护下方的SiGe不发生点蚀，并且◇所述氧化区域的厚度足够薄，以保持氧化的表面区域的厚度在阈值厚度范围之下，所述阈值范围是与所述SiGe层内的位错的产生对应的阈值范围，所述位错是由于紧邻所述氧化的表面区域下方的所述SiGe层内的富Ge区域与所述SiGe层的下部之间的晶格参数不匹配而产生的位错，和·第二阶段，在惰性气氛中高温退火，所述高温退火在所述第一阶段之后在所述SiGe层上进行，◇所述SiGe层覆盖有在所述第一阶段中产生的所述氧化区域，◇所述高温退火使Ge从所述富Ge区域扩散进入所述SiGe层的下部。