发明名称 多层器件及其制作方法
摘要 一种制作多层器件的方法。该方法首先提供衬底,衬底包含用于支持电元件的支持区,然后在衬底的表面上形成导电键合层。键合层环绕用于支持元件的区域。该方法中的下一步骤是提供与键合层接触的封闭层,以使元件封闭在衬底和封闭层之间。最后一步包括将封闭层键合到键合层上以形成密封元件的密封腔。此外,提供了多层器件。器件包含衬底、至少一个位于衬底上的电元件、导电键合层以及封闭层。键合层形成在衬底上,环绕电元件,封闭层键合到键合层上以形成封闭其中元件的密封腔。
申请公布号 CN100361272C 申请公布日期 2008.01.09
申请号 CN200410030085.4 申请日期 2004.03.18
申请人 森松诺尔公司 发明人 赫里克·贾克布森
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L23/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种制作多层器件的方法,该方法包含下列步骤:提供衬底,该衬底包含支持区,支持区用于在使用时支持电元件;在衬底表面上形成导电键合层,该键合环绕支持区;提供与键合层接触的封闭层,以将元件封闭在衬底和封闭层之间;以及将封闭层键合到键合层上,以形成包围元件的密封腔,其中导电键合层完全环绕密封腔。
地址 挪威霍尔腾