发明名称 低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法
摘要 本发明一种低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法,涉及有机场效应晶体管技术,该有机场效应晶体管为下电极结构,其源漏电极,是由具有低功函的材料构成,包括银或铜,在源漏电极和有机半导体的接触面形成有有机电荷转移复合盐层;其制备方法是:在衬底上沉积栅极电极和绝缘层,再在绝缘层上沉积源漏电极;对源漏电极进行修饰,使其上表面覆着一有机电荷转移复合盐层;再在复合盐层上沉积有机半导体材料。本发明的有机场效应晶体管,其金属下电极与半导体有良好的接触,保证了载流子的有效注入,本发明方法可以实现高性能、低成本有机场效应晶体管制备。
申请公布号 CN101101967A 申请公布日期 2008.01.09
申请号 CN200610089591.X 申请日期 2006.07.05
申请人 中国科学院化学研究所 发明人 于贵;狄重安;徐新军;刘云圻;孙艳明;王鹰;朱道本
分类号 H01L51/05(2006.01);H01L51/40(2006.01) 主分类号 H01L51/05(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 周国城
主权项 1、一种低成本高性能有机场效应晶体管,为下电极结构,包括衬底、栅极电极、绝缘层、源漏电极和有机半导体;其特征在于,源漏电极,是由具有低功函的材料构成,包括银或铜,在源漏电极和有机半导体的接触面形成有有机电荷转移复合盐层。
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