| 发明名称 | 蚀刻工艺以及图案化工艺 | ||
| 摘要 | 一种蚀刻工艺，其首先提供一材料层，且材料层上已形成有一底部抗反射层以及一图案化光致抗蚀剂层。接着，以图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻底部抗反射层。然后，进行一清洁步骤，以清除附着在图案化光致抗蚀剂层表面上的聚合物。之后，以图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN100361275C | 申请公布日期 | 2008.01.09 |
| 申请号 | CN200410085084.X | 申请日期 | 2004.10.12 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 周珮玉 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种蚀刻工艺，包括：提供一材料层，且该材料层上已形成有一底部抗反射层以及一图案化光致抗蚀剂层；以该图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻该底部抗反射层；进行一清洁步骤，以清除附着在该图案化光致抗蚀剂层表面上的聚合物；以及以该图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻该材料层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||