场电极金属半导体场效应晶体管

摘要

一种平面型MESFET晶体管，包括多个FET元件。每个FET元件包括一掺杂的平面沟道、以及与该沟道端部连接的源极和漏极。一栅极导体位于源极和漏极之间的位置处的部分沟道的上方，并从漏极延伸一第一预定距离。一场电极与栅极导体相连接，并向漏极延伸一第二预定距离，该场电极通过一介电材料与除了其和栅极导体连接处的其余沟道形成绝缘。

主权项

1.一种MESFET晶体管，包括源极、栅极和漏极结构，所述晶体管包括：一衬底，定义一平表面；一位于所述平表面中的掺杂沟道区，所述沟道区沿源-漏传导方向延长，并定义源极端和漏极端；一导电栅极导体，定义上表面和下表面，所述栅极导体覆盖一部分所述沟道区，沿源-漏传导方向，所述栅极导体具有分隔开的第一和第二边缘，所述栅极区的第一和第二边缘分别接近所述沟道区的所述源极端和漏极端，所述栅极导体的所述第二边缘与所述沟道区的所述漏极端相距1.8微米；一源极，与所述沟道区的所述源极端电连接；一漏极，与所述沟道区的所述漏极端电连接；一导电的场电极，与所述栅极导体的所述上表面相连接，并从所述栅极导体的所述第二边缘向所述沟道区的所述漏极端延伸1.3微米。