发明名称 |
用于单层沉积的方法和装置 |
摘要 |
给出了一种包括多变量控制器的适应性实时热处理系统。该方法包括创建MLD处理系统的动态模型并在动态模型中结合虚拟传感器。该方法包括使用包括智能设置点、动态模型和/或虚拟传感器的工艺方案。 |
申请公布号 |
CN101103137A |
申请公布日期 |
2008.01.09 |
申请号 |
CN200580046858.0 |
申请日期 |
2005.12.19 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
萨恩吉夫·考沙尔;帕迪普·帕恩戴伊;杉岛健二 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01);C23C16/52(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01) |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
李剑 |
主权项 |
1.一种操作单层沉积(MLD)处理系统的方法,包括:在处理室中布置多个晶片;在所述多个晶片中的至少一个的表面上确定多个表面饱和区;创建第一虚拟传感器以估计所述表面饱和区中的一个或多个的表面饱和状态值;建立所述表面饱和区中的至少一个的期望表面饱和状态值;以及在第一处理时间内执行第一沉积工艺,包括将所述多个晶片暴露于包括第一前驱体分子的第一含前驱体气体,直到来自所述第一虚拟传感器的估计的表面饱和状态值约等于所述期望表面饱和状态值为止,从而将基本均匀的第一前驱体分子的膜沉积到所述多个晶片的表面上。 |
地址 |
日本东京都 |