| 发明名称 |
Nitride semiconductor laser device having current blocking layer and method of manufacturing the same |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP1492209(B1) |
申请公布日期 |
2008.01.09 |
| 申请号 |
EP20040015028 |
申请日期 |
2004.06.25 |
| 申请人 |
NICHIA CORPORATION |
发明人 |
MATSUMURA, HIROAKI;YANAMOTO, TOMOYA |
| 分类号 |
H01L33/00;H01S5/323;H01S5/00;H01S5/22;H01S5/223;H01S5/30;H01S5/343 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
