| 发明名称 | 结晶装置和结晶方法 | ||
| 摘要 | 一种结晶装置，它包括：掩膜(1)；以及照明系统(2)，该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜，照明系统发出的光透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜。该掩膜(1)包括光吸收层(1c)，该吸收层(1c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101101870A | 申请公布日期 | 2008.01.09 |
| 申请号 | CN200710096523.0 | 申请日期 | 2003.10.31 |
| 申请人 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 发明人 | 谷口幸夫;松村正清 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/336(2006.01);B23K26/06(2006.01);G03F1/14(2006.01);G03F7/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王永建 |
| 主权项 | 1.一种结晶装置，其包括：掩膜(1)；以及照明系统(2)，该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜，该照明系统发出的光束透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜，其特征在于，所述掩膜(1)包括光吸收层(1c)，该光吸收层(1c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||