氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法

摘要

一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法，利用磨削将在表面上具有C面的氮化物半导体衬底的表面加工为面粗糙度Rms5nm～200nm。大幅度地减少了磨削时间，降低了成本。面粗糙度增加，包含数目多的凹部，从凹部倾斜地生长的结晶使位错集中于面与面的边界上，使位错从边界起朝向凹部的底部移动，由此使位错集结于凹部的底部，这样使外延生长层的位错密度减少。因为衬底的面粗糙度大，故外延生长层的表面几何形态较差，但降低了位错密度。可减少对器件特性影响大的位错密度，成为在低成本方面有用的衬底。根据本发明，能以外延生长方式生长位错密度低的GaN薄膜、InGaN薄膜、AlGaN薄膜等的氮化物类半导体薄膜，提供低成本的氮化物半导体衬底。

主权项

1.一种氮化物半导体衬底，其特征在于：所述氮化物半导体衬底由HVPE法或者MOC法制造，所述氮化物半导体衬底由金刚石、SiC、或者氧化铝固定磨粒磨削，所述氮化物半导体衬底的表面的面粗糙度为Rms 100nm～200nm，所述氮化物半导体衬底的表面由平坦且低的峰和孤立且深的谷构成，所述氮化物半导体衬底的表面的所述谷由{1-101}、{11-21}、{10-12}、或者{1-212}的小平面构成。