| 发明名称 | 一种具低热载子效应的半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种具低热载子效应的半导体结构，尤指一种可减轻一具有此种半导体结构的晶体管于操作时的「热载子效应」的程度，且可延长一具有此晶体管的有机电激发光显示装置(OLED)驱动集成电路的使用寿命的半导体结构。其包括：一基板；一金属层；一绝缘层；一具有一第一电阻值的第一半导体层，此第一半导体层是至少覆盖此绝缘层的部分表面；以及一具有一第二电阻值的第二半导体层，此第二半导体层是至少覆盖此第一半导体层的部分表面。其中，此第二半导体层的第二电阻值是大于此第一半导体层的第一电阻值。 | ||
| 申请公布号 | CN101101924A | 申请公布日期 | 2008.01.09 |
| 申请号 | CN200610098402.5 | 申请日期 | 2006.07.05 |
| 申请人 | 大同股份有限公司 | 发明人 | 林炯;李建锋;陈易良 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种具低热载子效应的半导体结构，其特征在于，包括：一基板；一金属层，该金属层是至少形成于该基板的部分表面；一绝缘层，该绝缘层是至少形成于该基板的部分表面，且覆盖该金属层的表面；一具有一第一电阻值的第一半导体层，该第一半导体层是至少覆盖该绝缘层的部分表面；以及一具有一第二电阻值的第二半导体层，该第二半导体层是至少覆盖该第一半导体层的部分表面；其中，该第二半导体层的第二电阻值是大于该第一半导体层的第一电阻值。 | ||
| 地址 | 台湾省台北市中山区中山北路3段22号 | ||