| 发明名称 | 一种电致发光二极管的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电致发光二极管的制备方法，先在衬底上生长GaN缓冲层，然后生长掺有Eu、Er、Tm三种稀土元素中任意两种或三种的GaN薄膜，最后用掺锡氧化铟制作透明电极。通过分子束外延、金属有机化学气相沉积方法、离子注入方法、光刻技术实现将Eu、Er、Tm三种稀土元素中的任意两种掺杂到在GaN薄膜中或者将这三种稀土元素同时掺杂到GaN薄膜中，当改变掺杂稀土元素的浓度比和外加电压时，就可以得到不同颜色的光、甚至白光。 | ||
| 申请公布号 | CN101101947A | 申请公布日期 | 2008.01.09 |
| 申请号 | CN200710052646.4 | 申请日期 | 2007.07.05 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 刘昌;张蕾;梅菲;刘福庆 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L27/15(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人 | 刘荣 |
| 主权项 | 1.一种电致发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：先在衬底上生长GaN缓冲层，然后生长掺有Eu、Er、Tm三种稀土元素中任意两种或三种的GaN薄膜，最后用掺锡氧化铟制作透明电极后形成电致发光二极管。 | ||
| 地址 | 430072湖北省武汉市武昌珞珈山 | ||