| 发明名称 |
场发射阴极及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种场发射阴极，包括基底、设置在基底上且厚度为60纳米～200纳米的金属电极和形成在金属电极上的碳纳米管阵列，其中，金属电极与碳纳米管阵列之间设置一个铝过渡层，该铝过渡层的厚度为5纳米～40纳米。本发明还涉及一种上述场发射阴极的制造方法。 |
| 申请公布号 |
CN101101839A |
申请公布日期 |
2008.01.09 |
| 申请号 |
CN200610061573.0 |
申请日期 |
2006.07.07 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
郑直;范守善 |
| 分类号 |
H01J1/304(2006.01);H01J29/04(2006.01);H01J9/02(2006.01) |
主分类号 |
H01J1/304(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种场发射阴极，包括基底、设置在基底上且厚度为60纳米～200纳米的金属电极和形成在金属电极上的碳纳米管阵列，其特征在于，所述的金属电极与碳纳米管阵列之间设置一个铝过渡层，所述的铝过渡层的厚度为5纳米～40纳米。 |
| 地址 |
100084北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心310号 |
