非挥发性记忆体阵列

摘要

本发明有关于一种非挥发性记忆体阵列，包括N条位元线、M条第一字元线、M×N个第一记忆胞、一第二字元线、N个第二记忆胞、一感测放大器、N个第一电晶体、N个第二电晶体以及一致能线，其中M及N为自然数。第二记忆胞以及第一电晶体用以控制相应位元线与感测放大器间开路与否，第二电晶体以及致能线则用以控制非挥发性记忆体阵列测试结果的写入。本发明能够在第一次晶圆测试阶段将功能错误的位元线与感测放大器之间形成开路，以省略激光锻烧以及二次晶圆测试的步骤。

主权项

1、一种非挥发性记忆体阵列，其特征在于至少包括：N条位元线及M条第一字元线成交错排列以控制M×N个第一记忆胞，其中M及N为自然数；一第二字元线跨过该些位元线；N个修复电路；以及一感测放大器，其中每一该些修复电路电性连接一位元线、该第二字元线及该感测放大器。