| 发明名称 | 提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 | ||
| 摘要 | 一种提高GaN基pin结构性能的紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在成核层上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层上面的中间；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层制作在有源层上；P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极为点状结构或环形结构，制作在P型欧姆接触层上面；一N型欧姆接触电极，该欧姆电极为点状结构或环形结构，制作在N型欧姆接触层上面。 | ||
| 申请公布号 | CN101101934A | 申请公布日期 | 2008.01.09 |
| 申请号 | CN200610111261.6 | 申请日期 | 2006.08.17 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 赵德刚;杨辉;梁骏吾;李向阳;龚海梅 |
| 分类号 | H01L31/105(2006.01);H01L31/0224(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/105(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种提高GaN基pin结构性能的紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在成核层上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层上面的中间；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层制作在有源层上；P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极为点状结构或环形结构，制作在P型欧姆接触层上面；一N型欧姆接触电极，该欧姆电极为点状结构或环形结构，制作在N型欧姆接触层上面。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||