| 发明名称 | 减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构及其制备方法，该薄膜结构包括无机相变薄膜层和缓冲层，所述的无机相变薄膜层由AgInSbTe或GeSbTe或SbTe构成，所述的缓冲层由热导率高的金属或半导体材料构成。该薄膜结构采用直流磁控溅射法制备，本发明薄膜结构具有膜层结构简单、工艺易控制和基片要求低等优点。试验证明可以明显减小激光直写光刻点和线宽的尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN101101451A | 申请公布日期 | 2008.01.09 |
| 申请号 | CN200710043931.X | 申请日期 | 2007.07.18 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 焦新兵;魏劲松;干福熹 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);G03F7/00(2006.01);B23K26/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构，特征在于该薄膜结构包括无机相变薄膜层(1)和缓冲层(2)，所述的无机相变薄膜层(1)由AgInSbTe或GeSbTe或SbTe构成，所述的缓冲层(2)由热导率高的金属或半导体材料构成。 | ||
| 地址 | 201800上海市800-211邮政信箱 | ||