| 发明名称 | 具有高介电常数的高频介质材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有高介电常数的高频介质材料及其制备方法。本发明的材料按重量百分比包括以下各组分：Ag<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>：36～45％；Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>：35～43％；Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>：12～20％；Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>：0.5～4.0％；Sb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>：1.5～5.5％。本发明的方法采用中温烧结工艺，在节能的同时有效的降低成本。本发明涉及的材料具有很高的介电常数及较低的损耗值，容量温度系数可以连续可调。 | ||
| 申请公布号 | CN100361232C | 申请公布日期 | 2008.01.09 |
| 申请号 | CN200410018746.1 | 申请日期 | 2004.03.16 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 李玲霞;吴霞宛;陈长庆 |
| 分类号 | H01B3/10(2006.01);H01B3/12(2006.01);C01G1/02(2006.01);C04B35/00(2006.01) | 主分类号 | H01B3/10(2006.01) |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 张宏祥 |
| 主权项 | 1.一种具有高介电常数的高频介质材料，其特征是，按重量百分比包括以下各组分：Ag2O：36-45％；Nb2O5：35-43％；Ta2O5：12-20％；Bi2O3：0.5-4.0％；Sb2O5：1.5-5.5％。 | ||
| 地址 | 300072天津市南开区卫津路92号 | ||