发明名称 高功率半导体激光器光纤耦合装置
摘要 本实用新型涉及一种高功率半导体激光器光纤耦合装置,包括激光发射源、光学整形系统和与该光学整形系统输出端相连接的光纤,其中激光发射源为合束半导体激光器,且该合束半导体激光器的输出光路与所述的光学整形系统的输入端位置相对应。采用该种高功率半导体激光器光纤耦合装置,合束后的激光仍具有优质的光束模式质量,因此可以较容易的获得较高的光纤耦合效率;同时由于采用了带通滤波片合束的方式,合束后的激光基本上保持了单管优质的光束模式质量;不仅如此,本实用新型的高功率半导体激光器光纤耦合装置的结构简单,制造成本较低,而且工作性能稳定可靠、使用范围较为广泛,给人们的生产和生活带来了很大的便利。
申请公布号 CN201004529Y 申请公布日期 2008.01.09
申请号 CN200720066814.0 申请日期 2007.01.30
申请人 上海幻晟光电科技有限公司 发明人 郭占华;须跃辉;孙斌;姚毓明
分类号 H01S5/40(2006.01);G02B6/00(2006.01);G02B27/09(2006.01);G02F1/35(2006.01) 主分类号 H01S5/40(2006.01)
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 王洁
主权项 1、一种高功率半导体激光器光纤耦合装置,包括激光发射源、光学整形系统和与该光学整形系统输出端相连接的光纤,其特征在于,所述的激光发射源为合束半导体激光器,且该合束半导体激光器的输出光路与所述的光学整形系统的输入端位置相对应。
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