| 发明名称 | 闪存存储单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种闪存存储单元及其制造方法，该闪存存储单元包括衬底、选择栅极、浮置栅极、栅介电层、高电压掺杂区以及源区。衬底上具有第一开口，其中还具有第二开口。选择栅极位于第一开口的侧壁上，浮置栅极位于第二开口的侧壁上，且栅介电层位于选择/浮置栅极与衬底之间。高电压掺杂区位于第二开口底部的衬底中，且源区位于第一开口外侧的衬底中。在该闪存存储单元的制造方法中，选择栅极和浮置栅极分别同时形成在第一开口和第二开口的侧壁上。 | ||
| 申请公布号 | CN100361303C | 申请公布日期 | 2008.01.09 |
| 申请号 | CN03155530.6 | 申请日期 | 2003.08.28 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 张格荥;许汉杰 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种闪存存储单元，包括：衬底，在该衬底上具有第一开口，且第一开口底部的衬底中还设有第二开口，该第二开口的宽度小于第一开口的宽度，且从衬底表面算起的第二开口的深度大于第一开口的深度；选择栅极，位于第一开口的侧壁上；浮置栅极，位于第二开口的侧壁上；栅介电层，位于选择栅极与衬底之间以及浮置栅极与衬底之间；高电压掺杂区，位于第二开口底部的衬底中，且同时作为漏极区和控制栅极；以及源区，位于第一开口外侧的衬底中。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||