发明名称 一种制备TTF-TCNQ纳米材料的方法
摘要 本发明公开了一种制备TTF-TCNQ纳米材料的方法。本发明方法包括如下步骤:1)将TTF分散溶解于正己烷中,得到TTF的正己烷溶液;2)将TCNQ分散溶解于乙腈中,得到TCNQ的乙腈溶液;3)将TCNQ的乙腈溶液加入到搅拌的TTF的正己烷溶液中,得到TTF-TCNQ纳米材料。本发明利用两相法控制合成有机导体TTF-TCNQ一维纳米材料,实现纳米粒子的可控生长,能调节纳米晶的形貌和结构,可以获得纳米棒、纳米线、螺旋纳米线、螺旋多级结构以及复杂螺旋多级结构等多种形态的纳米材料,制备过程简单,产率高,分离方法简便,所得材料可广泛应用于传感器、场发射平面显示、场效应、非线性光学材料、压电材料、热电材料、有机铁磁体、铁电材料等方面。
申请公布号 CN101100282A 申请公布日期 2008.01.09
申请号 CN200610089613.2 申请日期 2006.07.06
申请人 中国科学院化学研究所 发明人 刘辉彪;李玉良
分类号 B82B3/00(2006.01);C07D339/06(2006.01);C07C255/46(2006.01);H01B1/12(2006.01) 主分类号 B82B3/00(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 关畅
主权项 1、一种制备TTF-TCNQ纳米材料的方法,包括如下步骤:1)将TTF分散溶解于正己烷中,得到TTF的正己烷溶液;2)将TCNQ分散溶解于乙腈中,得到TCNQ的乙腈溶液;3)将TCNQ的乙腈溶液加入到搅拌的TTF的正己烷溶液中,得到TTF-TCNQ纳米材料。
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