发明名称 咔唑衍生物,和使用该咔唑衍生物的发光元件和发光装置
摘要 本发明提供具有优异的空穴注入和空穴迁移性能的材料。此外,本发明提供使用该具有优异的空穴注入和空穴迁移性能的材料的发光元件和发光装置。本发明提供由通式(1)表示的咔唑衍生物。通过将本发明的咔唑衍生物涂覆到发光元件或发光装置上,可以实现发光元件或发光装置的较低的驱动电压、提高的发射效率、较长的寿命和增强的可靠性。
申请公布号 CN101103001A 申请公布日期 2008.01.09
申请号 CN200580047016.7 申请日期 2005.12.26
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 中岛晴惠;熊木大介;小岛久味;濑尾哲史;川上祥子
分类号 C07D209/88(2006.01);C09K11/06(2006.01);H01L51/50(2006.01) 主分类号 C07D209/88(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 陈季壮
主权项 1.由通式(1)表示的咔唑衍生物:<img file="A2005800470160002C1.GIF" wi="1645" he="473" />其中至少R<sup>11</sup>和R<sup>13</sup>之一表示氢、含1-6个碳原子的烷基、含6-25个碳原子的芳基、含5-9个碳原子的杂芳基、芳烷基或含1-7个碳原子的酰基,其中Ar<sup>11</sup>表示含6-25个碳原子的芳基或含5-9个碳原子的杂芳基,其中R<sup>12</sup>表示氢、含1-6个碳原子的烷基、或含6-12个碳原子的芳基,其中R<sup>14</sup>表示氢、含1-6个碳原子的烷基、含6-12个碳原子的芳基、或由通式(2)表示的取代基,<img file="A2005800470160002C2.GIF" wi="1600" he="503" />其中R<sup>15</sup>表示氢、含1-6个碳原子的烷基、含6-25个碳原子的芳基、含5-9个碳原子的杂芳基、芳烷基或含1-7个碳原子的酰基,其中Ar<sup>12</sup>表示含6-25个碳原子的芳基、或含5-9个碳原子的杂芳基,和其中R<sup>16</sup>表示氢、含1-6个碳原子的烷基、或含6-12个碳原子的芳基。
地址 日本神奈川