发明名称 一种制备真空镀膜用石墨坩埚的方法
摘要 本发明提供了一种制备真空镀膜用石墨坩埚的方法。它包括以下步骤:1)将石墨坩埚置于浸渍釜中并抽真空,2)在真空下抽入浸渍封孔剂,所采用的浸渍封孔剂为树脂,树脂中还加有添加剂,所述添加剂为能溶于酒精的轻金属硝酸盐或硫酸盐或它们的任意比例混合物,轻金属为分子量小于30的金属,且其氢氧化物不溶于水和酒精,3)在加压状态下,保持一段时间,4)将坩埚置于固化剂中,用固化剂对添加剂进行固化,固化剂为氨水,5)在加压的条件下逐步升温,最高温度不超过1150℃。本发明有效地改善了封孔效果,制备出的坩埚使用寿命高,圆形坩埚能耐受加热22次以上,方形坩埚能耐受加热16次以上。
申请公布号 CN100360707C 申请公布日期 2008.01.09
申请号 CN200410049150.8 申请日期 2004.06.22
申请人 周亚伟;胡仁良 发明人 周亚伟;胡仁良
分类号 C23C14/26(2006.01);F27B14/10(2006.01) 主分类号 C23C14/26(2006.01)
代理机构 浙江杭州金通专利事务所有限公司 代理人 刘晓春
主权项 1、一种制备真空镀膜用石墨坩埚的方法,其特征在于它包括以下步骤:1)、将石墨坩埚置于浸渍釜中并抽真空,2)、在真空下抽入浸渍封孔剂,所采用的浸渍封孔剂为树脂,树脂中还加有添加剂,所述添加剂为能溶于酒精的轻金属硝酸盐或硫酸盐或它们的任意比例混合物,轻金属为分子量小于30的金属,且其氢氧化物不溶于水和酒精,3)、加压,4)、将坩埚置于固化剂中,用固化剂对添加剂进行固化,固化剂为氨水,5)、在加压的条件下逐步升温,最高温度不超过1150℃。
地址 311311浙江省临安於潜镇东门巷16号