| 发明名称 | 结型场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种结型场效应薄膜晶体管(JFETFT)，包括：在基底上形成的第一栅极；在所述第一栅极上形成的第一栅极半导体图案；在所述基底和第一导电类型第一栅极半导体图案上形成的第二导电类型半导体沟道层；和在位于所述第一导电栅极半导体图案两侧的所述第二导电类型半导体图案上形成的源极和漏极。所述JFETFT还可以包括在所述源极和漏极之间的第二导电类型半导体沟道层的一部分上形成的第一导电类型第二栅极半导体图案；和在所述第一导电类型第二栅极半导体图案上形成的第二栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN101097966A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200610164051.3 | 申请日期 | 2006.12.06 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 斯蒂法诺维克·詹瑞克;赵重来;李殷洪 |
| 分类号 | H01L29/808(2006.01) | 主分类号 | H01L29/808(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种结型场效应薄膜晶体管，包括：在基底上形成的第一栅极；在所述第一栅极上形成的第一导电类型第一栅极半导体图案；在所述基底和第一导电类型第一栅极半导体图案上形成的第二导电类型半导体沟道层；和在位于所述第一导电类型栅极半导体图案两侧的所述第二导电类型半导体图案上形成的源极和漏极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||