发明名称 |
使用基于非晶碳的层制造圆柱形电容器的方法 |
摘要 |
一种制造圆柱形电容器的方法。该方法包含:在衬底上形成包括中间层的隔离结构,在所述衬底中已形成有许多接触塞;通过蚀刻隔离结构形成多个开口区,从而暴露出接触塞的选择部分;在开口区的表面上形成存储节点;蚀刻隔离结构的选择部分以形成包围存储节点的选择部分的图案化中间层,从而支撑存储节点;移除隔离结构的余留部分;以及移除图案化中间层,以暴露存储节点的内壁和外壁。 |
申请公布号 |
CN101097852A |
申请公布日期 |
2008.01.02 |
申请号 |
CN200710087202.4 |
申请日期 |
2007.03.19 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
朴基善;卢载盛;吉德信;宋翰相;廉胜振;金珍赫;李起正 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8242(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
杨生平;杨红梅 |
主权项 |
1.一种制造圆柱形电容器的方法,所述方法包括:在衬底上形成包括中间层的隔离结构,所述衬底中形成有多个接触塞;通过蚀刻所述隔离结构形成多个开口区,由此暴露所述接触塞的选择部分;在所述开口区的表面上形成存储节点;蚀刻所述隔离结构的选择部分以形成包围所述存储节点的选择部分的图案化中间层,由此支撑所述存储节点;移除所述隔离结构的余留部;和移除所述图案化中间层以暴露所述存储节点的内壁和外壁。 |
地址 |
韩国京畿道利川市 |