| 发明名称 | 半导体器件和晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种在单晶半导体上选择性形成外延半导体层的方法及其制造的半导体器件，使用主要半导体源气体和主要蚀刻气体分别在单晶半导体和非单晶半导体图案上形成单晶外延半导体层和非单晶外延半导体层。使用选择性蚀刻气体移除非单晶外延半导体层。主要半导体源气体和主要蚀刻气体以及选择性蚀刻气体交替和重复至少供应两次以便仅仅在单晶半导体上选择性形成具有预定厚度的升高的单晶外延半导体层。选择性蚀刻气体抑制在非单晶半导体图案上形成外延半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN100359639C | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200510091369.9 | 申请日期 | 2005.06.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 申东石;李化成;上野哲;李浩;李承换 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：在单晶半导体衬底上形成非单晶半导体图案；在所述非单晶半导体图案的侧壁上形成绝缘间隔体；将具有所述绝缘间隔体的衬底装入反应室中；主要半导体源气体和主要蚀刻气体注入所述反应室中以在单晶半导体衬底和非单晶半导体图案上分别选择性地生长单晶外延半导体层和非单晶外延半导体层；以及选择性蚀刻气体注入到所述反应室中以便选择性地移除在非单晶半导体图案上的非单晶外延半导体层，其中所述主要半导体源气体和主要蚀刻气体以及所述选择性蚀刻气体交替和重复注入至少两次，以仅在所述单晶半导体衬底上选择性地形成具有所需厚度的升高的单晶半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||