发明名称 |
一种图像感应器的接触孔的刻蚀方法 |
摘要 |
本发明有关一种图像感应器的接触孔的刻蚀方法,首先进行防反层的刻蚀;接着,进行氧化膜的主刻蚀,且追加过刻蚀,保持高的氧化膜对氮氧化硅的刻蚀速率选择比,使三种接触孔均停留在氮氧化硅形成的阻挡层上;然后,去除接触孔底部的反应生成物;再接着刻蚀氮氧化硅阻挡层及氮化硅层,使与栅极及源漏极连接的接触孔停止在金属硅化物层上,而与底部光电二极管相连接的接触孔停止在底部氧化膜层上;最后进一步刻蚀与光电二极管连接的接触孔下部的底部氧化膜层。通过上述方法,可以解决因接触孔欠刻蚀而引起的电路不通,或因过刻蚀而引起的器件漏电问题。 |
申请公布号 |
CN100359646C |
申请公布日期 |
2008.01.02 |
申请号 |
CN200410084654.3 |
申请日期 |
2004.11.26 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
吕煜坤 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/30(2006.01);H01L27/146(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘清富 |
主权项 |
1.一种图像感应器的接触孔的刻蚀方法,该图像感应器包括连接栅极的接触孔、连接源漏极的接触孔及连接底部光电二极管的接触孔,其上具有多层膜,包括由氮氧化硅组成的防反层、氧化膜、氮氧化硅组成的阻挡层,连接栅极及源漏极的接触孔处进一步包括金属硅化物层,而连接底部光电二极管的接触孔处具有氮化硅层及底部氧化膜层,所述底部氧化膜层下面为所述底部光电二级管的硅衬底,该刻蚀方法包括以下步骤:第一步,对于氮氧化硅组成的防反层的刻蚀;第二步,氧化膜的主刻蚀,且追加过刻蚀,保持高的氧化膜对氮氧化硅的刻蚀速率选择比,使三种接触孔均停留在氮氧化硅形成的阻挡层上;第三步,去除接触孔底部的反应生成物;第四步,刻蚀氮氧化硅阻挡层及氮化硅层,保持高的氮氧化硅/氮化硅对底部氧化膜层及金属硅化物的刻蚀速率选择比,使与栅极及源漏极连接的接触孔停止在金属硅化物层上,而与底部光电二极管相连接的接触孔停止在底部氧化膜层上;第五步,进一步刻蚀与光电二极管连接的接触孔下部的底部氧化膜层,保持高的底部氧化膜层对硅及金属硅化物的刻蚀速率选择比。 |
地址 |
201206上海市浦东川桥路1188号 |