超掺杂半导体材料的方法以及超掺杂的半导体材料和器件

摘要

公开了用于制备高掺杂的半导体材料的方法。使用本发明，可以获得超过常规建立的载流子饱和限度的掺杂密度，同时没有有害的副作用。此外，公开了高掺杂的半导体材料以及使用所述材料的改进的电子和光电器件/部件。在富阴离子环境中生长的材料，其在优选的实施例中在贫氧环境中生长期间通过中等衬底温度制备。与现有技术相比材料相比，该材料显示出由辐射复合支配的少数载流子寿命并且与现有技术的材料相比获得了较高的多数载流子浓度。

主权项

1.一种生长超掺杂的化合物半导体材料的方法，该超掺杂的半导体材料的少数载流子寿命由辐射复合率主导，并且其至少80％的掺杂剂原子占据阳离子置换位置，所述方法包括在真空室中将衬底保持在300℃和550℃之间的温度，同时将至少一种阴离子元素、至少一种阳离子元素和至少一种掺杂剂元素淀积到衬底上。