其上具有半导体器件的单晶氧化物的生长方法

摘要

在例如硅晶片的单晶衬底(72)上生长高品质单晶金属氧化物层(74)。在足够低以防止硅衬底的有害的并同时存在的氧化的温度下，在硅衬底上生长单晶金属氧化物。在生长一层1-3单原子层的单晶氧化物之后，停止生长并且通过较高温度退火提高该层的结晶品质。退火之后，通过重新开始低温生长可以增加层的厚度。在单晶氧化物的厚度达到几个单原子层之后，可以在单晶金属氧化物层和硅衬底之间的界面处生长非晶氧化硅层(78)。

主权项

1.一种用于在单晶衬底上生长单晶氧化物层的方法，包括如下步骤：在反应室内放置具有表面的单晶衬底；除去出现在衬底表面上的任意氧化物；加热衬底到第一温度；引入氧气到反应室以确立反应室中氧气的第一局部压力，其中所述第一温度和所述第一局部压力的所选择的组合使得衬底将基本不与氧反应；引入至少一种反应物到反应室并使至少一种反应物与氧气反应以形成第一层氧化物；停止引入所述至少一种反应物到反应室；降低反应室内的氧气的局部压力到小于氧气的第一局部压力的氧气的第二局部压力；以及在停止引入所述至少一种反应物以及降低反应室内的氧气的局部压力的步骤之后，加热衬底到大于第一温度的第二温度，其中第二温度足够高以提高第一层的结晶品质，并且第二温度不足以高到引起衬底与第一层反应。