形成通路结构的方法以及制造具有了该结构的相变存储器件的方法

摘要

提供了由多个导电层图形形成诸如通路栓塞的导电栓塞结构的方法和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括诸如相变半导体存储器件的半导体存储器件。典型方法是，通过在半导体衬底上形成导电层，形成微细通路结构。在导电层上形成模制绝缘层，并通过该绝缘层形成通孔，以露出导电层的某个区域。形成第一通路填充层，然后，部分除去它，以形成部分通路栓塞。然后，如果需要，重复执行形成和除去相变材料层的过程，以形成基本填充该通孔的多层栓塞结构，与传统方法相比，该多层结构通常表现减少的缺陷和损伤。

主权项

1.一种形成栓塞结构的方法，包括：(a)形成绝缘层；(b)通过所述绝缘层形成开口，所述开口具有高宽比、纵向开口轴线、侧壁表面以及下表面；(c)在绝缘层的上部表面以及开口的侧壁表面和下表面上，形成第一填充层；(d)除去第一填充层的上部部分，而保留开口内的第一填充层的下部部分，第一填充层的下部部分形成覆盖原始下表面和侧壁表面的下部区域的部分栓塞，以形成具有修改的高宽比的修改的开口；(e)在绝缘层的上部表面上、侧壁表面的上部部分以及部分栓塞上形成后续填充层；(f)除去后续填充层的上部部分，而保留修改的开口内的后续填充层的下部部分，后续填充层的下部部分形成部分栓塞的延伸而且覆盖侧壁表面的中间区域；以及(g)根据需要重复执行形成(e)和除去(f)的处理过程，以利用多个填充层的各部分填充该开口，从而形成栓塞结构，其中：除去第一填充层的上部部分，而保留开口内的第一填充层的下部部分包括采用离子束蚀刻(IBE)蚀刻第一填充层的上部部分，该离子束具有偏离纵向开口轴线的第一入射角；以及除去后续填充层的上部部分，而保留开口内的后续填充层的下部部分包括利用离子束蚀刻(IBE)蚀刻后续填充层的上部部分，所述离子束具有偏离纵向开口轴线的第二入射角。