制造半导体器件的方法

摘要

一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFT)。半导体层的厚度小于1500，例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

主权项

1.一种制造显示器件的方法，包括下列步骤：在基片上形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括一个半导体区和一个栅极，一个栅绝缘膜夹在它们之间；在所述半导体区上形成含有钛的第一层；在所述第一层上形成含有铝的第二层；在所述第二层上形成含有钛的第三层；对所述第一至第三层构图以形成一个电极；和在对所述第一至第三层构图之后在所述电极的第三层上形成与其接触的一个包括一导电氧化膜的像素电极。