| 发明名称 | 在半导体器件中形成金属图案的方法 | ||
| 摘要 | 一种在半导体器件中形成金属图案的方法，包括：准备具有用作金属图案的金属层的半成品衬底，进行清洗工艺，在所述金属层的上表面之上诱发氧化，以在所述金属层的上表面之上形成抗散射反射层，在所述抗散射反射层之上形成光致抗蚀剂图案，以及蚀刻被所述光致抗蚀剂图案暴露的所述抗散射反射层和所述金属层，以形成所述金属图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101097866A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200710002435.X | 申请日期 | 2007.01.17 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 梁基洪;晋圭安 |
| 分类号 | H01L21/321(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/321(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种在半导体器件中形成金属图案的方法，其包括：准备具有用作金属图案的金属层的半成品衬底；在所述金属层的上表面上进行诱发氧化的清洗工艺，以在所述金属层的上表面上形成抗散射反射层；在所述抗散射反射层之上形成光致抗蚀剂图案；以及蚀刻被所述光致抗蚀剂图案暴露的所述抗散射反射层和所述金属层，形成所述金属图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||