| 发明名称 | 非易失性存储单元以及存储器系统 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储单元以及存储器系统，用多端口改善读出存取。电阻形式存储器系统包括安排在阵列内的多个电阻形式存储单元。各电阻形式存储单元具有对应的第一端口以及对应的第二端口。各第一端口能够读出存取以及写入存取至对应的电阻形式存储单元。此外，各第二端口能读出存取至对应的电阻形式存储单元。而且，存储器系统能与另一读出存取同时发生读出或是写入存取。 | ||
| 申请公布号 | CN101097776A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200710002273.X | 申请日期 | 2007.01.17 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖忠志 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C13/00(2006.01) | 主分类号 | G11C11/16(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储单元，包括：一电阻形式存储元件，具有一电极层；多个晶体管，所述各晶体管具有一栅极节点耦接至所述电极层；以及一参考晶体管，包括一参考漏极节点以及一参考源极节点，其中所述参考漏极节点与所述参考源极节点之一被耦接至所述电极层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||