发明名称 |
一种半导体材料表面颗粒去除的清洗液及其清洗方法 |
摘要 |
一种半导体材料表面颗粒去除的清洗液及其清洗方法,它是由有机碱、非离子表面活性剂和纯水混合组成,其中有机碱的重量占22%~40%,表面活性剂的重量占3%~15%、纯水的重量占45%~75%;清洗方法包括:(1)取清洗剂清洗;(2)用去离子水超声;(3)用去离子水超声;(4)喷淋;(5)烘干。本发明的优越性在于:清洗剂中选用的有机碱,能够根据结构相似相溶原理,溶解半导体材料表面的有机污染物,提高清洗剂均匀腐蚀性,保证清洗的一致性;加入了特选的渗透剂,能够降低清洗剂的表面张力,增强清洗剂的渗透性,对半导体材料有很好的清洗效果;选用的化学试剂,不污染环境,不易燃烧,属于非破坏臭氧层物质,满足环保要求。 |
申请公布号 |
CN101096617A |
申请公布日期 |
2008.01.02 |
申请号 |
CN200610014593.2 |
申请日期 |
2006.06.30 |
申请人 |
天津晶岭电子材料科技有限公司 |
发明人 |
仲跻和;李家荣;周云昌;吴亮 |
分类号 |
C11D1/66(2006.01);C11D3/30(2006.01);H01L21/304(2006.01) |
主分类号 |
C11D1/66(2006.01) |
代理机构 |
国嘉律师事务所 |
代理人 |
卢枫 |
主权项 |
1、一种半导体材料表面颗粒去除的清洗液,其特征在于它是由有机碱、非离子表面活性剂和纯水混合组成,其中有机碱的重量占22%~40%,表面活性剂的重量占3%~15%,纯水的重量占45%~75%。 |
地址 |
300385天津市天津开发区微电子工业区中晓园2-B号 |