发明名称 一种半导体材料表面颗粒去除的清洗液及其清洗方法
摘要 一种半导体材料表面颗粒去除的清洗液及其清洗方法,它是由有机碱、非离子表面活性剂和纯水混合组成,其中有机碱的重量占22%~40%,表面活性剂的重量占3%~15%、纯水的重量占45%~75%;清洗方法包括:(1)取清洗剂清洗;(2)用去离子水超声;(3)用去离子水超声;(4)喷淋;(5)烘干。本发明的优越性在于:清洗剂中选用的有机碱,能够根据结构相似相溶原理,溶解半导体材料表面的有机污染物,提高清洗剂均匀腐蚀性,保证清洗的一致性;加入了特选的渗透剂,能够降低清洗剂的表面张力,增强清洗剂的渗透性,对半导体材料有很好的清洗效果;选用的化学试剂,不污染环境,不易燃烧,属于非破坏臭氧层物质,满足环保要求。
申请公布号 CN101096617A 申请公布日期 2008.01.02
申请号 CN200610014593.2 申请日期 2006.06.30
申请人 天津晶岭电子材料科技有限公司 发明人 仲跻和;李家荣;周云昌;吴亮
分类号 C11D1/66(2006.01);C11D3/30(2006.01);H01L21/304(2006.01) 主分类号 C11D1/66(2006.01)
代理机构 国嘉律师事务所 代理人 卢枫
主权项 1、一种半导体材料表面颗粒去除的清洗液,其特征在于它是由有机碱、非离子表面活性剂和纯水混合组成,其中有机碱的重量占22%~40%,表面活性剂的重量占3%~15%,纯水的重量占45%~75%。
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