基于金属氧化物存储介质的编程单元复用的FPGA器件

摘要

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于金属氧化物存储介质的编程单元复用的FPGA器件。该器件由可编程逻辑功能块CLB、输入输出模块IOB和可编程互联资源组成，其中可编程逻辑功能块CLB和可编程互联资源都应用编程单元复用的结构，由复用的编程单元控制各编程点。复用的编程单元以金属氧化物作为存储介质，并由一个传统的SRAM与多个存储电阻和一个参考电阻构成。工作时，通过一个译码器控制与各存储电阻上电极连接的nmos选通管，从而实现对同一编程单元的各个不同的存储电阻的读写操作。使用本发明器件，大量的配置数据一次下载即可，用户每次只需导入少量功能数据，可以节省大量时间。

主权项

1、一种基于金属氧化物存储介质的编程单元复用的FPGA器件，其特征在于由可编程逻辑功能块CLB、输入输出模块IOB和可编程互联资源组成，其中可编程逻辑功能块CLB和可编程互联资源都应用编程单元复用的结构，由复用的编程单元控制各编程点；该编程单元复用的结构以二元或者二元以上的多元金属氧化物作为非挥发存储介质，并由一个传统的六管SRAM与多个(如2-10个，或更多)存储电阻以及一个参考电阻构成；每一个存储电阻的下电极与SRAM的一个上拉pmos管的源端耦连，上电极通过一个nmos选通管与电源线耦连；用一nmos选通管与存储电阻串联，该选通管栅极与该上拉pmos管栅极耦连，漏端与存储电阻的下电极耦连，源端引入一个用于对存储电阻进行操作的信号；参考电阻的一端与SRAM的另一个上拉pmos管的源端耦连，另一端与电源线耦连。